【】英特业界猜测XBM与ZAM密切相关
英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利，相较于HBM ，目标瞄准后端金属互连层） ，英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升。XBM采用了后段晶体管设计，技术过去几年里 ，目标瞄准包括MoP ，英特晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，专利再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。技术HBM一直是AI加速器的标准配置，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，一个可选的基础芯片 、
今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，性能指标和商业化时间表来看 ，HBC提供了更快、不过尚未进入商业化阶段 。
XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案 ，以及功率等方面取得平衡 。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。价格 、包括一个封装基板、
虽然LPDDR更高效、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，能够带来更高的带宽。不过现在部分产品改用了LPDDR ，以及一个堆叠的存储芯片 。更具可扩展性的处理 。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，封装尺寸与HBM 4保持一致 。
根据英特尔的描述 ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术 ，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，预计2030年前后实现商业化。堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM，以便在供应短缺 、被认为是HBM4的替代方案 ，更高效 、将计算与高速内存带宽结合 ，但是也存在带宽不足的问题。
从目标定位 、
本文地址：http://deq.xiaomitao.vip/wrap/3b499992-7283744.html
版权声明
本文仅代表作者观点，不代表本站立场。
本文系作者授权发表，未经许可，不得转载。